(一)PA 器件:17-23 年5G 基站、终端PA 需求CAGR 或达7%,性能要求提升 5
(二)PA 衬底:迁移率和禁带宽度要求更高、GaAs 等或挤占Si 基衬底市场份额 . 7
(一)从晶体到组件:制备高纯半导体单晶为组件制造的首要环节 ...... 10
(二)GaAs 长晶工艺:直拉法占据90%市场份额 ............. 10
(一)全球:PA 及GaAs 单晶衬底均被少数厂商垄断,CR3 分别为93%和95% . 15
(二)国内:射频器件用半绝缘GaAs 衬底尚未规模化、国产替代空间广阔 ......... 16
图 1:5G 高频、高速特质驱动PA 等射频组件性能提升、数量倍增 ............. 6
图2:2018~2023 年,全球射频前端市场规模预计将以年复合增长率16%持续高速增长 ....... 7
图3:预计2017-2023 年全球射频前端PA 市场容量将由50 亿美元增加至70 亿美元,CAGR 达7%左右 ...... 7
图4:Si-LDMOS 制程的功率器件无法满足超过3.5GHz 以上高频段的工作要求 . 8
图5:面向5G 应用,GaAs、GaN 基器件未来将逐步挤占Si 基器件的市场份额 . 8
图6:制备高纯半导体单晶为组件制造的首要环节 .......... 10
图7:水平布里奇曼法(HB)装置示意图 ...... 12
图8:液封切克劳斯基法(LEC)装置示意图 ......... 12
图9:蒸气压控制切克劳斯基法(VCZ)装置示意图 ....... 13
图10:垂直布里奇曼法/梯度冷凝(VGF/VB)示意图 ..... 13
图11:VGF 法生长GaAs 单晶的市场份额达63%,是当前主流GaAs 单晶生长工艺 ..... 14
图12:美国Skyworks、Qorvo 和博通(Avago)在PA 领域的市场份额分别达43%、25%和25% ........ 15
图13:日本住友电气、德国费里伯格和美国AXT 占据了95%以上的GaAs 单晶衬底市场份额 ......... 15
表1:第一代、第二代、第三代半导体物理性能参数对比 .......... 7
表2:Si-LDMOS、GaAs 和GaN 半导体材料性能及应用场景差异 ..... 9
表3:GaAs 晶体生长技术对比 ..... 13
表4:全球GaAs 单晶衬底龙头均以VGF/VB/LEC 工艺为主,水平布里奇曼法(HB)
已被淘汰 ............ 16
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