1.1 封装是半导体后道制程,主要起芯片保护、连接作用...... 5
1.2 Bump、RDL、TSV、混合键合技术赋能先进封装.....6
1.3 WLP、2.5D、3D 是当前主流的几种先进封装...... 11
2.1 摩尔定律面临瓶颈,先进封装大势所趋.... 13
2.2 2028 年全球市场规模有望785.5 亿美元,通信基础设施领域增长最快.....15
2.3 算力时代,先进封装有望迎来加速发展.... 16
3.1 封装环节:Foundry 与OSAT 各有侧重,内资厂商积极布局先进封装...... 17
3.2 设备环节:国产设备持续突破,进口替代进程加速.... 19
3.3 材料环节:关键材料性能要求升级,高端品类国产化空间巨大.... 23
4.1 投资建议.... 31
4.2 风险提示.... 31
图1: 半导体产业链分设计、制造、封装和测试.... 5
图2: 半导体封装的四大作用.... 5
图3: 先进封装拥有更高的内存带宽、能耗比.... 7
图4: Bump、RDL、TSV 是实现先进封装关键技术.....7
图5: 应用于CoWoS、InFo 等先进封装中的Bump......7
图6: 当前,先进封装凸块间距已经到20-10μm.... 7
图7: RDL 起着XY 平面电气延伸和互联的作用....... 8
图8: RDL 转接层在CoWoS-R 中的应用....8
图9: TSV 应用于2.5D/3D 封装....9
图10: 贯穿芯片体的3D TSV 的立体示意图.......9
图11: 传统bump 键合VS 铜对铜直接连接......10
图12: 混合键合没有凸块,直接铜对铜键合.... 10
图13: 不同键合方式连接密度.... 10
图14: 混合键合可以提供更高的互连密度.... 10
图15: 扇入式(a)和扇出式(b)WLP 对比...... 11
图16: 扇入式(a)和扇出式(b)WLP 对比...... 11
图17: 2.5D 的CoWoS 封装.....12
图18: 2.5D 的EMIB 封装....... 12
图19: 海力士HBM 内存堆叠采用3D 封装技术...... 12
图20: 芯片上集成的晶体管数量一直在快速增长.... 13
图21: 半导体制造工艺持续升级.... 13
图22: 摩尔定律面临放缓.... 14
图23: 5nm 制程的芯片设计成本超过5 亿美元....14
图24: 先进封装是超越摩尔定律的关键.... 14
图25: 台积电CoWoS-L 技术......14
图26: 全球先进封装市场规模,亿美元.... 15
图27: 2028 年先进封装预计占封装市场54.8%....... 15
图28: 先进封装市场格局集中.... 16
图29: 2022-2028 年,下游通信领域复合增速最高......16
图30: 2023 年大预言模型开始爆发....... 16
图31: 全球AI 服务器出货量预计,万台......16
图32: 采用CoWoS 封装的英伟达A100....17
图33: 英伟达A100 CoWoS 封装切面图....17
图34: 先进封装市场格局集中.... 18
图35: OSAT 与IDM、晶圆代工厂技术布局有差异....... 18
图36: 先进封装核心技术处于前后制程交叉区域.... 19
图37: 倒片封装凸点制作过程.... 20
图38: 重布线层制作过程.... 20
图39: TSV 技术工艺流程....21
图40: W2W 与D2W 工艺流程.......21
图41: 先进封装设备体系.... 22
图42: 铜柱凸点结构图.... 24
图43: TSV 工艺流程中的铜填充....24
图44: 硫酸铜镀液中的电镀反应.... 24
图45: 整平剂效果对比.... 24
图46: CMP 抛光工作原理...... 25
图47: CMP 抛光工艺示意图...... 25
图48: CMP 抛光液组成成分...... 26
图49: TSV 阻挡层去除原理....26
图50: HB 工艺流程中的磨平露铜环节......26
图51: 发泡聚氨酯硬垫电镜微孔断层表面.... 27
图52: 光刻工序原理图.... 28
图53: 光刻去胶工序原理图.... 28
图54: 环氧塑封料与底填胶应用场景.... 29
图55: 不规则角形硅微粉图示.... 29
图56: 球形硅微粉图示.... 29
图57: 应用玻璃基与TGV 技术的三维异质集成结构......30
表1: 全球集成电路封装技术经历了五个发展阶段.... 6
表2: RDL 在头部OSAT、Foundry 厂主要产品中的应用....... 8
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